International Science and Technology Journal

Home < Articles < Article Details

Observation Of The Performance Parameters Of Class E Power Amplifier with shunt inductance configuration at Frequencies [0.5 , 1 , 1.5 and 2GHz ]

Researcher(s):
  • ESAM AMHIMMID ALRITEEMI
  • NAJAH MOHAMMED ALSAEH
Institution:Faculty of information Technology University of Zawia - Libya
Faculty of education - abu essa University of Zawia - Libya
Field:Electrical, electronic and communication engineering
Published in:25th volume - April 2021
الملخص
في هذه الورقة تم دراسة دائرة مضخم القدرة صنف E باستخدام توصيلة المحث المتوازي في أربعة ترددات تشغيل مختلفة تتكون دائرة مضخم الطاقة من الفئة E بشكل أساسي من جهاز نشط يعمل كمفتاح وشبكة تحميل ومرشح LC متسلسل مضبوط على التردد الأساسي. يعتبر مضخم القدرة صنف E من مضخمات القدرة ذات الأسلوب المفتاحي والتي تتميز بكفاءتها العالية والتي تصل نظريا في بعض الأنواع إلى 100% . تتكون دائرة مضخم القدرة صنف E من ترانزستور يعمل كمفتاح ودائرة حمل تتكون أساسا من مكثف ومحث ، ومرشح موصل على التوالي . يمكن تصميم مضخم القدرة صنف E بعدة دوائر على حسب طريقة توصيل دائرة الحمل منها (توصيلة الدائرة المتوازية وتوصيلة المكثف المتوازي ، وتوصيلة المحث المتوازي ) . الهدف من هذا العمل مراقبة دائرة مضخم القدرة صنف E باستخدام توصيلة المحث المتوازي عند كل من الترددات (0.5 ، 1، 1.5، 2 جيجا هرتز) ودراسة أداء المضخم (مثل الكفاءة ، والكسب ، وكفاءة القدرة المضافة ... الخ) عند كل تردد . تمت المحاكاة باستخدام الحزمة البرمجية (ADS) المستخدمة بشكل واسع في عمليات التصميم والصناعة المتعلقة بالترددات العالية (HF) والترددات الدقيقة (Microwave).
Abstract
In this paper is a study of class E power amplifier with shunt inductance configuration is evaluated at four different operating frequencies class E power amplifier circuit consists mainly of active device operates as a switch , load network and series LC filter tuned on fundamental frequency. Class E power amplifier has different configurations according to the load network such as : class E power amplifier with shunt capacitance , class E power amplifier with parallel circuit and class E power amplifier with shunt inductance . The aim of this work is to observe the performance of class E power amplifier with shunt inductance configuration such as PAE, gain, overall efficiency at different frequencies of operation e.g. 0.5GHz., 1GHz, 1.5 GHz and 2 GHz . Simulation is done using very powerful RF/microwave design tool ADS known as Advanced Design System supported by Agilent[1].